單波長(zhǎng)X熒光硅含量分析儀是由低功率X射線管發(fā)射的多波長(zhǎng)X射線螢光，由雙曲面彎晶光學(xué)元件捕獲并聚焦，照射一個(gè)具有合適波長(zhǎng)的單色X射線，可以激發(fā)樣品盒中被測(cè)樣品上硅元素K層中的電子，形成一個(gè)小點(diǎn)。單色主光束激發(fā)樣品并發(fā)射次級(jí)特征熒光X射線。只有波長(zhǎng)為0.713nm的K被硅元素激發(fā)，通過第二雙曲彎曲晶體光學(xué)元件收集，通過適當(dāng)?shù)臋z測(cè)器測(cè)量X射線熒光，然后使用校準(zhǔn)方程轉(zhuǎn)換為被測(cè)樣品中的硅含量。
 

　　單波長(zhǎng)X熒光硅含量分析儀的工作原理：
 

　　低功率X射線管發(fā)出的多波長(zhǎng)X射線熒光被雙曲面彎曲晶體光學(xué)元件捕獲并聚焦，并將波長(zhǎng)合適的能夠激發(fā)硅元素K層電子的單色X射線照射在樣品盒中的被測(cè)樣品上，形成一個(gè)小點(diǎn)。單色主光束激發(fā)樣品并發(fā)射次級(jí)特征熒光X射線。只有波長(zhǎng)為0.713nm的K被硅元素激發(fā)，通過第二雙曲彎曲晶體光學(xué)元件收集，通過適當(dāng)?shù)臋z測(cè)器測(cè)量X射線熒光，然后使用校準(zhǔn)方程轉(zhuǎn)換為被測(cè)樣品中的硅含量。
 

　　單波長(zhǎng)X熒光硅含量分析儀的產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：
 

　　1、樣品制備和儀器操作過程簡(jiǎn)單，檢測(cè)速度快，分析時(shí)間300秒；
 

　　2、無(wú)樣品損失或轉(zhuǎn)化，無(wú)耗氣量，高溫操作；
 

　　3、直接檢測(cè)，無(wú)需樣品預(yù)處理；超低維護(hù)和更少校準(zhǔn)頻率；
 

　　4、體積小，可放置在任何實(shí)驗(yàn)室，即插即用；樣品杯膜無(wú)接觸和切割；
 

　　5、單波長(zhǎng)X射線熒光硅分析儀配有標(biāo)準(zhǔn)工作站，可以有更多的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間，同時(shí)實(shí)現(xiàn)LIMS功能；
 

　　6、分析儀中沒有運(yùn)動(dòng)部件；標(biāo)準(zhǔn)的12位自動(dòng)取樣器可以真正提高效率。